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Intro ......

 

이 영역은 홀과 전자가 결핍층을 형성하고 전기장이 형성된다.전기 저항(옴의 법칙, 반도체를 이용한 다이오드나 트렌스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항값에 대한 색코드를 확인 하는 실험리포트 입니다. 2)다이오드의 특성 ●P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로써 접합면에서 전기적인 복잡한 현상이 일어난다..실험 결과 1)옴의 법칙 ● 옴의 법칙(V=R*I) 어느 저항체에 걸리는 전압 V 와 이에 흐르는 전류 I의 비율을 R이라 한다.실험 목적 2.이 론 4. 전기저항옴의법칙다이오드 1. 3. 즉,다음 그림에서처럼 접합부에서 P영역이 홀이 떠난 3족 원자는 음이온이 되고, 어느 순간 캐리어가 이동하려는 힘과 저지하려는 전기장의 크기가 같아지면 확산은 중지되고 평형상태에 놓이게 된다.아래의 그림처럼 홀이 다수 캐리어인 P형과 전자가 다수캐리어인 N형을 접합시켰다. . 즉, 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다. 이후 확산이 진행됨에 따라  ......

 

 

Index & Contents

전기 저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)

 

저항체에 흐르는 전류의 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항값에 대한 색코드를 확인 하는 실험리포트 입니다. 전기저항옴의법칙다이오드

 

1.실험 목적

2.실험 장치 및 기구

3.이 론

4.실험 결과

1)옴의 법칙

● 옴의 법칙(V=R*I)

어느 저항체에 걸리는 전압 V 와 이에 흐르는 전류 I의 비율을 R이라 한다. 즉,도체내의 2점간을 흐르는 전류의 세는 2점간의 전위차에 비례하고, 그 사이의 전기저항에 반비례한다는 법칙이다.

● 옴의 법칙의 한계성

전기 회로에서는 옴의 법칙이 비교적 잘 적용되는 금속 도체를 사용한 경우이고, 반도체를 이용한 다이오드나 트렌스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.

2)다이오드의 특성

●P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로써 접합면에서 전기적인 복잡한 현상이 일어난다. P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 직후 접합면에서 일어나는 현상

1.아래의 그림처럼 홀이 다수 캐리어인 P형과 전자가 다수캐리어인 N형을 접합시켰다.

3. 다음 그림에서처럼 접합부에서 P영역이 홀이 떠난 3족 원자는 음이온이 되고,N영역의 전자가 떠난 5족은 양이온이 된다. 이런 이온들은 원자 자체가 전자를 띤것으로서 움직일 수 없다. 즉, 홀과 전자의 확산으로 움직이지 않는 이온들을 만들게 되며, 이 영역은 홀과 전자가 결핍층을 형성하고 전기장이 형성된다. 이후 확산이 진행됨에 따라 결핍층 내의 이온수가 증가하게 되고 전기장이 점점 세지게 되며, 어느 순간 캐리어가 이동하려는 힘과 저지하려는 전기장의 크기가 같아지면 확산은 중지되고 평형상태에 놓이게 된다.

 

 

다이오드 특성) 저항(옴의 법칙 VN 법칙 특성) 레폿 VN 다이오드 전기 특성) 저항(옴의 전기 레폿 저항(옴의 다이오드 전기 레폿 VN 법칙

 

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