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기록시의 전력소모도 상당히 높다. MRAM 의 정의 2. MRAM의 장점 반 영구적인 수명 정보 기록 및 재생 속도가 빠르다 소비전력이 적다. MRAM 기술 및 연구동향 4. MRAM 의 사용 분야 8. MRAM의 도식도 동작원리 MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용하여 동작한다. 셀 크기가 작아 집적도가 높다. MRAM 의 단점 7. 자료 처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 함께 가졌기 때문에 DRAM과 플래시메모리를 대체할 차세대 메모리로 떠오르고 있다. 기존메모리의 문제점 5. 기존 CMOS와 쉽게 통합 생산할 수 있다 기존의 반도체와 달리 신호의 증폭이 필요하지 않아 매우 빠른 메모리 소자를 제작 가능하다. 반면에 DRAM의 ......
Index & Contents
차세대 메모리 MRAM
차세대 메모리 MRAM
파워포인트
차세대 메모리 MRAM
목차
1. MRAM 의 정의
2. MRAM 동작원리
3. MRAM 기술 및 연구동향
4. 기존메모리의 문제점
5. MRAM 의 장점
6. MRAM 의 단점
7. MRAM 의 사용 분야
8. MRAM 의 향후 전망
MRAM의 정의
MRAM : (Magnetic Random Access Memory)
자성체(磁性體)소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로써 마그네틱램(Magnetic RAM) 또는 자기(磁氣)메모리라고도 한다. 자료 처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 함께 가졌기 때문에 DRAM과 플래시메모리를 대체할 차세대 메모리로 떠오르고 있다.
MRAM의 도식도
동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용하여 동작한다.
MRAM의 개발 현황
기존 메모리의 문제점
플래시 메모리의 경우 속도와 사용전력에 단점이 있다. 데이터를 읽을 때는 큰 차이가 나지 않지만 데이터를 기록할 때에는 일반 DRAM보다 무려 1000배 정도 느리다는 단점이 있으며, 기록시의 전력소모도 상당히 높다. 반면에 DRAM의 경우에는 속도는 빠른 반면에 전기를 계속 공급해 주지 않으면 기록되어 있는 내용이 지워진다는 단점이 있다.
MRAM의 장점
반 영구적인 수명
정보 기록 및 재생 속도가 빠르다
소비전력이 적다.
비 휘발성 성질을갖는다.
셀 크기가 작아 집적도가 높다.
기존 CMOS와 쉽게 통합 생산할 수 있다
기존의 반도체와 달리 신호의 증폭이 필요하지 않아 매우 빠른 메모리 소자를 제작 가능하다.
특히 방사능 내성이 우수하여 유도탄 과 같은 군수용
인공위성, 스페이서셔틀과 같은 우주항공 분야
MRAM의 단점
MRAM의 고집적도와 수율, 신뢰성 등을 이루기 위해 해결하여야 할 기술적 문제점
자성재료 고유의 문제
자성소자의 크기효과
MOSFET 등을 구성하는 반도체 공정과의 공정통합 문제
MRAM의 사용분야
휴대형기기
자동차탑재용
네트워킹, 보안, 데이터
스토리지
게임, 프린터
혼재 메모리
항공기 및 우주관련기기
등에도 활용
MARM 의 향후 전망
향후에는 디지털 TV등의 가전용 AV 시스템, 홈 멀티미디어 서버, 의료용 영상을 비롯하여 개인 휴대 통신기기에 이르기까지 정보산업 전 분야로 그 응용범위가 크게 확장 될 것으로 전망됨
정보산업이 발달할수록 대용량 초고속의 정보저장기기에 대한 요구는 더욱 확대
초소형의 정보저장 기기에 대한 수요는 급증 할 것으로 전망
소형화 및 저가격화의 필요성이 크게 대두됨으로 써 이러한 휴대기기에 MRAM과 같은 칩형의 비 휘발성 메모리소자가 이용 될 것으로 예상
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