방향 전류도 증가한다. ?평형상태 n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다. (a) 기호 (b) 이상적인 다이오드의 전압-전류 특성 그림 1-1 이상적인 다이오드 ? 다이오드의 전압, 전류 관계 표현식 (1.zip 접합 다이오드의 특성 1. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다. ?순방향 바이어스(forward bias)(]0) 인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한. ,(2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다. 2. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.hwp 접합 다이오드의 특성(2).hwp (File). 실험 이론 1) pn접합 다이오드 p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. (ID,, VD : 특정한 동작점에서의 다이오드의…(생략) 접합 다이오드의 특성(2). 또한 최대 전력 또는 소비 정격은 다음 식으로 ......
접합 다이오드의 특성 다운
접합 다이오드의 특성(2).hwp (File).zip
접합 다이오드의 특성
1. 실험 목적
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.
2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 이것이 바로 다이오드의 주된 특성이 된다.
?평형상태
n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다.
?순방향 바이어스(forward bias)(]0)
인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속
되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.)
n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만
p+-QNR쪽으로 diffusion.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
p에서 n으로 전류가 흐른다.
.?역방향 바이어스(reverse bias)([0)
인가된 역방향전압에 의해 potential barrier는 더욱 높아짐.(건전지의 “+”단자가 다이오드의 n쪽에 접 속되어 전자들은 그만큼 에너지가 낮아짐)
n-QNR의 전자들은 potential barrier보다 낮은 에너지를 가지기 때문에 p+-QNR쪽으로 갈 수 없다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
(a) 기호 (b) 이상적인 다이오드의 전압-전류 특성
그림 1-1 이상적인 다이오드
? 다이오드의 전압, 전류 관계 표현식
(1.1)
⇒다이오드의 순방향 저항은 매우 작으나 역방향 저항은 대단히 커지게 된다.
2)Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 변화.
⇒온도가 상승하면 역방향 포화전류 Is가 증가하고,순방향 전류도 증가한다.
또한 최대 전력 또는 소비 정격은 다음 식으로 표시된다.
(ID, VD : 특정한 동작점에서의 다이오드의…(생략)
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